內存發展簡短

1.內存條的發展史

首先說說我知道的.在DDR之前是SDR,DDR是在02年以后才開始成為主流的.中間還出現過RDR，性能比當時的DDR要好一些，但是因為成本太高而被DDR淘汰.SDR之前的我不大知道了，剛才在網上查了一下，挑選一些有用的信息給你.開山鼻祖——SIMM 內存 在80286主板發布之前，內存并沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ~256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。

不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了前面我們所提到的“內存條”概念。 在80286主板剛推出的時候，內存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組)接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。

自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖 隨后，在1988 ~1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了（如圖3）,72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ~2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。

徘徊不前——EDO DRAM內存 EDO DRAM(Extended Date Out RAM，外擴充數據模式存儲器)內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO-RAM同FP DRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上 在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO 內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。

EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發展，此時單條EDO 內存的容量已經達到4 ~16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用 一代經典——SDRAM 內存 自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。

第一代SDRAM 內存為PC66 規范（如圖6），但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代（如圖7），接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上（如圖8）。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據總線寬度，因此它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。

在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，發展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存 曲高和寡——Rambus DRAM內存 盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日后的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM內存（稱為RDRAM內存）。

與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高 在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手劍，Rambus DRAM內存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。 盡管如此，Rambus RDRAM 內存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地。

2.內存發展史

轉： 內存發展史 Wikipedia，自由的百科全書 在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞匯，這將有助于我們加強對內存的理解。

RAM就是Random Access Memory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種Static RAM（靜態隨機存貯器）和Dynamic RAM（動態隨機存貯器）。

SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它采用的硅片面積相當大，制造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。

隨著 Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）后，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在移動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終于為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網絡服務器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。 DRAM，顧名思義即動態RAM。

DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一只MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合制造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。

所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和異步內存。

區分的標準是看它們能不能和系統時鐘同步。內存控制電路（在主板的芯片組中，一般在北橋芯片組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。

在SDRAM之前的 EDO內存就采用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒表示。

當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為總線標準時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鐘頻率的SDRAM。

DRAM的分類 FP DRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恒電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。

它的刷新頻率每秒鐘可達幾百次，但由于FP DRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會占用CPU額外的時鐘周期。

其接口多為72線的SIMM類型。 EDO DRAM:EDO RAM――Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FP DRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM 快15~30%。

工作電壓為一般為5V，其接口方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDO DRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。

當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步于系統時鐘頻率的。SDRAM內存訪問采用突發（burst）模式，它和原理是， SDRAM在現有的標準動態存儲器中加入同步控制邏輯（一個狀態機），利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址數據和控制信號。

使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。 在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鐘進行刷新。

可以說， SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在異步控制基礎上的。

系統在使用這些異步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應異步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時（一個時鐘周期10ns），每執行一次數據存取，即需要等待4個時鐘周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，則可避免這一時。

SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。

按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鐘速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。

SDRAM的速度至少不能慢于系統的時鐘速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鐘周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鐘周期。用數字表示如下：4-1-1-1。

順便提一下BEDO(Burst EDO)也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的芯片組支持SDRAM，由于INTEL的市場領導地位幫助 SDRAM成為市場的標準。

DRAMR的兩種接口類型 DRAM主要有兩種接口類型，既早期的SIMM和現在的標準DIMM。SIMM是Single-In Line Memory Module的簡寫，即單邊接觸。

3.內存條的發展史

內存發展史在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞匯，這將有助于我們加強對內存的理解。

RAM就是RandomAccessMemory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種StaticRAM（靜態隨機存貯器）和DynamicRAM（動態隨機存貯器）。

SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它采用的硅片面積相當大，制造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。

隨著Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）后，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在移動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終于為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網絡服務器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。DRAM，顧名思義即動態RAM。

DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一只MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合制造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。

所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和異步內存。

區分的標準是看它們能不能和系統時鐘同步。內存控制電路（在主板的芯片組中，一般在北橋芯片組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。

在SDRAM之前的EDO內存就采用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒表示。

當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為總線標準時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鐘頻率的SDRAM。

DRAM的分類FPDRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恒電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。

它的刷新頻率每秒鐘可達幾百次，但由于FPDRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會占用CPU額外的時鐘周期。

其接口多為72線的SIMM類型。EDODRAM:EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。

工作電壓為一般為5V，其接口方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDODRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。

當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步于系統時鐘頻率的。SDRAM內存訪問采用突發（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現有的標準動態存儲器中加入同步控制邏輯（一個狀態機），利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址數據和控制信號。

使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鐘進行刷新。

可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在異步控制基礎上的。

系統在使用這些異步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應異步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時（一個時鐘周期10ns），每執行一次數據存取，即需要等待4個時鐘周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，則可避免這一時。

SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。

按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鐘速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。

SDRAM的速度至少不能慢于系統的時鐘速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鐘周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鐘周期。用數字表示如下：4-1-1-1。

順便提一下BEDO(BurstEDO)也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的芯片組支持SDRAM，由于INTEL的市場領導地位幫助SDRAM成為市場的標準。

DRAMR的兩種接口類型DRAM主要有兩種接口類型，既早期的SIMM和現在的標準DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryModule的簡寫，即單邊接觸內存模組，這是486及其較早的PC機中常用的內存的接。

4.內存的發展歷史是

早期的內存：在計算機誕生初期并不存在內存條的概念，那時的內存均被焊接在主板上，以內存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。

那時的內存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K*1bit、1M*4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務來說卻已經綽綽有余了。 內存條的誕生： 內存芯片的狀態一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發展造成了現實的阻礙。

有鑒于此，內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。

這樣就把內存難以安裝更換的問題徹底解決了。 在80286主板發布之前，內存并沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ~256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。

不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“內存條”概念。 在80286主板剛推出的時候，內存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組)接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。

自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖。 隨后，在1988 ~1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。

72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ~2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。 EDO DRAM(Extended Date Out RAM，外擴充數據模式存儲器)內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO-RAM同FP DRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。

工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。 在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO 內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。

EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發展，此時單條EDO 內存的容量已經達到4 ~16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。 第一代SDRAM 內存為PC66 規范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。

由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據總線寬度，因此它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。

不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，發展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存。 盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日后的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM內存（稱為RDRAM內存）。

與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。 在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手劍，Rambus DRAM內存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶。

5.內存條的發展史

內存發展史在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞匯，這將有助于我們加強對內存的理解。

RAM就是RandomAccessMemory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種StaticRAM（靜態隨機存貯器）和DynamicRAM（動態隨機存貯器）。

SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它采用的硅片面積相當大，制造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。

隨著Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）后，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在移動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終于為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網絡服務器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。DRAM，顧名思義即動態RAM。

DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一只MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合制造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。

所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和異步內存。

區分的標準是看它們能不能和系統時鐘同步。內存控制電路（在主板的芯片組中，一般在北橋芯片組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。

在SDRAM之前的EDO內存就采用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒表示。

當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為總線標準時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鐘頻率的SDRAM。

DRAM的分類FPDRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恒電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。

它的刷新頻率每秒鐘可達幾百次，但由于FPDRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會占用CPU額外的時鐘周期。

其接口多為72線的SIMM類型。EDODRAM:EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。

工作電壓為一般為5V，其接口方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDODRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。

當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步于系統時鐘頻率的。SDRAM內存訪問采用突發（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現有的標準動態存儲器中加入同步控制邏輯（一個狀態機），利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址數據和控制信號。

使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鐘進行刷新。

可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在異步控制基礎上的。

系統在使用這些異步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應異步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時（一個時鐘周期10ns），每執行一次數據存取，即需要等待4個時鐘周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，則可避免這一時。

SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。

按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鐘速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。

SDRAM的速度至少不能慢于系統的時鐘速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鐘周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鐘周期。用數字表示如下：4-1-1-1。

順便提一下BEDO(BurstEDO)也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的芯片組支持SDRAM，由于INTEL的市場領導地位幫助SDRAM成為市場的標準。

DRAMR的兩種接口類型DRAM主要有兩種接口類型，既早期的SIMM和現在的標準DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryModule的簡寫，即單邊接觸內存模組，這是486及其較早的PC機中常用的內存的。

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